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【银河登录中心-银河彩票登录中心】带宽不再是瓶颈 HMC内存技术解析

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带宽不再是瓶颈 HMC内存技术解析

  • 2013-10-16 12:17:22
  • 类型:原创
  • 来源:电脑报
  • 报纸编辑:王宇
  • 作者:

【电脑报在线】要提升内存性能,传统的做法是通过提升频率、增加通道来实现,但内存带宽时常成为瓶颈。与此一齐,智能手机和平板电脑的快速发展也对内存模块的能耗与体积有更高的要求,那先 设备都需用内趋于稳定容量更大的一齐体积更小假若更节能。假若,内存技术到了需进一步革新的之前 了,为此,美光、三星开发出了另2个 全新架构的HMC内存。

带宽比DDR3提升至少12倍

传输每比特数据的能耗比DDR3要低70%

  要提升内存性能,传统的做法是通过提升频率、增加通道来实现,但内存带宽时常成为瓶颈。与此一齐,智能手机和平板电脑的快速发展也对内存模块的能耗与体积有更高的要求,那先 设备都需用内趋于稳定容量更大的一齐体积更小假若更节能。假若,内存技术到了需进一步革新的之前 了,为此,美光、三星开发出了另2个 全新架构的HMC内存。

3D堆叠风吹到内存领域

  在芯片制造领域,3D堆叠技术正在大行其道,从英特尔的3D三栅极晶体管,到三星3D垂直堆叠型型态NAND闪存芯片(3D V-NAND),如今内存领域也出显了类式 的多层堆叠产品——HMC(Hybrid Memory Cube)内存。

  HMC内存的基本理念是通过特殊的半导体工艺,把多个DRAM芯片层层堆叠在一齐。内存的内部人员就像建高楼一样,由一层层DRAM晶圆芯片(每另2个 DRAM晶圆芯片我我我觉得可不可以 看成另2个 这样进行封装的内存芯片)堆叠起来,最终组成另2个 大容量的内存“芯片”。假若,HMC也被称“混合存储立方体”。值得一提的是,不言而喻采用DRAM晶圆芯片,是可能性堆叠工艺要求较高,可能性以芯片对芯片的堆叠法律方法将耗费极大时间与成本,假若HMC采用晶圆对晶圆的堆叠法你这个 更便捷和节约成本的法律方法。

  当然,芯片内部人员的DRAM并全部就有简单的堆叠起来,这顶端暗含着从高层向低层穿孔以连接电极的蚀刻技术,以及将那先 DRAM晶圆芯片垂直围绕在各层板面上的门极型态技术等一系列独特并有突破性的工艺技术。

HMC内存的内部人员型态

本文出自2013-10-14出版的《电脑报》2013年第40期 E.硬件DIY (网站编辑:pcw2013)

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